基本信息：
教授，微电子学与固体电子学博士，博士生/硕士生导师，河南省教育厅学术技术带头人，河南省高校青年骨干教师，河南省电子学会副理事长、河南省物理学会常务理事。主持完成国家自然科学基金面上项目等，在IEEE Electron Device Letters、IEEE Transactions on Electron Devices、Applied Physics Letters等权威期刊上发表SCI文章40余篇。指导学生荣获“河南省研究生创新之星”等荣誉称号。研究领域：新型显示、电子材料及界面物理、光电探测、水利信息等。
研究方向简介：
调控薄膜晶体管（TFT）界面态及内部缺陷一直是TFT微电子学的中心问题之一。TFT目前主要应用于显示领域的面板像素驱动器件，未来可望扩展在柔性显示和穿戴电子方面应用。此外在传感器领域、射频识别领域、一次性电子产品领域、天线领域、功能电路领域及医疗领域也有着广阔的应用前景。近年来围绕低温制备超薄金属氧化物沟道层的表面修饰或化学处理，提升器件性能与稳定性构建异质集成器件。目前主要研究方向为非晶氧化物半导体材料及新型TFT结构功能设计，形成柔性显示和穿戴电子、光电探测等应用。
教育经历：
1996-2000年，河南大学物理学专业，理学学士学位
2004-2006年，武汉大学微电子学与固体电子学专业，工学硕士学位
2009-2015年，武汉大学微电子学与固体电子学专业，工学博士学位
承担的教学任务：
本科课程：电子材料与元器件、光电子器件与技术基础、半导体物理、固体物理基础、大学物理、大学物理实验等
研究生课程：半导体器件、现代通信与光电子基础等
承担的主要科研项目：
1. 土壤重金属高灵敏度检测LIBS关键技术研发与示范应用（基金号251111222200），130万，河南省重点研发专项基金，主持；
2. 防洪工程典型场景知识服务系统开发项目。128万，横向中标项目，主持；
3. 金属元素与氢共掺杂下氧化锌薄膜缺陷调控研究及器件研制（基金号11574083），86.4万，国家自然科学基金面上项目，主持；
4. 高性能不含铟的非晶ZnSnO基薄膜晶体管研制（2015GGJS-103），河南省高校青年骨干教师资助计划项目，主持；
5. B位离子对二维三角磁铁多铁性调控与机制研究（基金号U1804125）,国家自然科学基金联合项目，参与。
近五年发表的主要学术论文：
1）Ruyu Liang; Lei Xu*, et. al. Ammonia Bath Method-Induced Electrical Performance and Stability Improvement of p-Channel SnOx Thin Film Transistors Followed by Al2O3 Capping. Surfaces and Interfaces, 72, 107086 (2025)
2）Shi Zong; Lei Xu*，et. al. Enhance Electrical Performance and Stability of InSnMgO Thin-Film Transistors by Optimizing Carrier Concentration via Mg Doping. IEEE Transactions on Electron Devices, 72, 1, 277-281 (2025).
3) Zengcai Song; Mengzhen Hu, (...); Lei Xu*. High mobility and hysteresis free InGaSnO thin film transistors by co-sputtering via low temperature post annealing process. Thin Solid Films, 795, 140309 (2024).
4) Xinnan Zhang, Lei Xu*, et. al. Improved Environmental Stability of InSnO Thin-Film Transistor by Interface Engineering. IEEE Transactions on Electron Devices, 71, 5, 3015-3019 (2024).
5) Xinnan Zhang, Lei Xu*, et. al. Effect of Indium Doping on Bias Stability in Dual-Target Co-Sputtering InZnSnO Thin-Film Transistors. IEEE Transactions on Electron Devices, 70, 12, 6375-6380 (2023).
6) Mengzhen Hu, Lei Xu*, et. al. High mobility amorphous InSnO thin film transistors via low-temperature annealing. Applied Physics Letters, 122, 033503 (2023).
7) Mengzhen Hu, Lei Xu*, et. al. In-situ Ar plasma treatment as a low thermal budget technique for high performance InGaSnO thin film transistors fabricated using magnetron sputtering. Applied Surface Science, 604, 154621 (2022).
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